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IL233-XX	文件：355.16 Kbytes Page：6 Pages	500mALowDropoutLinearVoltageRegulator	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON
INA233	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA233AIDGSR	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA233AIDGST	文件：681.89 Kbytes Page：48 Pages	High-SideorLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWithI2C-,SMBus-,andPMBus-CompatibleInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF233	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF233	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF233	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF233	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF233	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFS233	文件：265.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRS233JPBF	文件：1.18017 Mbytes Page：36 Pages	3-PHASE-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRS233JTRPBF	文件：1.18017 Mbytes Page：36 Pages	3-PHASE-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRS233PBF	文件：1.18017 Mbytes Page：36 Pages	3-PHASE-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRS233SPBF	文件：1.18017 Mbytes Page：36 Pages	3-PHASE-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRS233STRPBF	文件：1.18017 Mbytes Page：36 Pages	3-PHASE-BRIDGEDRIVER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISCNH233P	文件：303.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCP233N	文件：288.87 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KMR233G	文件：71.31 Kbytes Page：3 Pages	MicrominiatureTactSwitchforSMT	ITTITT Industries ITT工业	ITT

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更多HW233-BULK供应商更新时间2024-5-31 16:16:00

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