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AP139	文件：199.02 Kbytes Page：7 Pages	300mALOW-NOISECMOSLDO	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AP139-TW	文件：183.13 Kbytes Page：8 Pages	300mALow-NoiseCMOSLDO	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
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AP139-XXW	文件：227.66 Kbytes Page：7 Pages	300mALOW-NOISECMOSLDO	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
APAMSTJ-139	文件：3.73278 Mbytes Page：2 Pages	TetraAntennaModule	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ARJ-139	文件：3.98539 Mbytes Page：3 Pages	RJ451000Base-TSinglePort,PoE,w/LEDs,ExtendTemp	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
BC139	文件：116.05 Kbytes Page：3 Pages	AUDIOOUTPUTAMPLIFIER DESCRIPTION TheBC139isasiliconplanarepitaxialPNPtransistorinaTO-39metalcase.Itisparticularlydesignedforuseinaudiooutputanddriverstages.TheComplementaryNPNtypeistheBC119.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BCR139	文件：185.09 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR139F	文件：185.09 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR139T	文件：185.09 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD139	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD139	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD139	文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD139	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPNpowertransistors DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD139	文件：33.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD139	文件：76.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD139	文件：84.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS NPNPOWERTRANSISTORS FEATURES Highcurrent(max.1.5A) Lowvoltage(max.80V)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD139	文件：105.21 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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更多HW139-BULK供应商更新时间2024-5-15 16:16:00

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