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HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.56 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodesHighBreakdownVoltage Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
HSMS-2803	文件：139.06 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TypicalapplicationsoftheseSchottkydiodesaremixing,detectin	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HV2803	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features •32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch •NoHigh-VoltageSuppliesRequired •32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching •3.3VCMOSInputLogicLevel •66MHzDataShiftClockFrequency •Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRLML2803	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRLML2803	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803	文件：191.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803GPBF	文件：247.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803GTRPBF	文件：1.07155 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLML2803PBF	文件：296.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803PBF	文件：258.529 Kbytes Page：9 Pages	ULTRALOWONRESISFANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803TR	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRLML2803TRPBF	文件：1.07144 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLML2803TRPBF	文件：230.15 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology,UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JAN2803J	文件：253.57 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2803J	文件：102.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
KA2803	文件：833.86 Kbytes Page：13 Pages	EarthLeakageDetector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
HV2803/AHA
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 模拟开关 - 特殊用途
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
应用：
超声
多路复用器/解复用器电路：
1：1
开关电路：
SPST
导通电阻（最大值）：
15 欧姆
电压 - 供电，双 (V±)：
±4.5V ~ 6.3V
-3db 带宽：
50MHz
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
132-TFBGA
供应商器件封装：
132-TFBGA（12x12）
描述：
HV MUX (SPST)

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更多HV2803/AHA供应商更新时间2024-5-16 18:01:00

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