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HUF76409D3	文件：335.37 Kbytes Page：9 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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HUF76409D3S	文件：335.37 Kbytes Page：9 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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HUFA76409D3ST	文件：763.31 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
HUF76409D3ST
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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