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FZT649	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT649	文件：143.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FZT649	文件：28.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FZT649	文件：91.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR FEATURES 25VoltVCEO 3Ampcontinuouscurrent Lowsaturationvoltage ExcellenthFEspecifiedupto6A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT649	文件：38.38 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighPerformanceTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=3A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=25V ●Lowsaturationvoltage ●ComplementarytoFZT749	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT649	文件：103.68 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT649TA	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT649TC	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
G649D	文件：928.82 Kbytes Page：11 Pages	LiquidCrystalDisplayModules [SeikoInstrumentsGmbH] DotMatrixLiquidCrystalDisplayModules FEATURES: •Slim,lightweightandlowpowerconsumption •Highcontrastandwideviewingangle •Built-incontrollerforeasyinterfacing •LCDmoduleswithbuilt-inELorLEDbacklight	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
G649D	文件：1.76303 Mbytes Page：29 Pages	LIQUIDCRYSTALDISPLAYMODULE DotMatrixLiquidCrystalDisplayModules FEATURES: •Slim,lightweightandlowpowerconsumption •Highcontrastandwideviewingangle •Built-incontrollerforeasyinterfacing •LCDmoduleswithbuilt-inELorLEDbacklight	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
GM649A	文件：478.81 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM649A	文件：482.27 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GSB649A	文件：549.18 Kbytes Page：3 Pages	TheGSB649Aisdesignedforfrequencypoweramplifier	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GSB649A	文件：545.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H649A	文件：32.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithHSD669A. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) •MaximumTemperatures StorageTemperature............................................................................................-55~+150°C JunctionTempera	HSMC 华昕	HSMC
HI649A	文件：27.15 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHI649Aisdesignedforlowfrequencypoweramplifier.	HSMC 华昕	HSMC
HJ649A	文件：27.58 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHJ649Aisdesignedforlowfrequencypoweramplifier.	HSMC 华昕	HSMC
HMC649	文件：221.12 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HMC649	文件：307.78 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HS649A	文件：246.64 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan

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更多HSB649A-C-ROHS供应商更新时间2024-5-21 10:05:00

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