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FDB120N10	文件：400.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=74A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP120N10	文件：328.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXUC120N10	文件：56.7 Kbytes Page：2 Pages	TrenchPowerMOSFETISOPLUS220 TrenchPowerMOSFETISOPLUS220TMElectricallyIsolatedBackSurface Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •TrenchMOSFET -verylowRDS(on) -fastswitching -usabl	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
MSL120N10G	文件：1.95187 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET
TMP120N10A	文件：836.55 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC

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