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HN1D02F	文件：119.83 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS) Ultra-High-SpeedSwitchingApplications ●TheHN1D02Fiscomposedoftwo(2)cathodecommonunits. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.90V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
HN1D02F	文件：192.88 Kbytes Page：3 Pages	Ultra-High-SpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
HN1D02FE	文件：212.06 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTypeUltraHighSpeedSwitchingApplication UltraHighSpeedSwitchingApplication ●TheHN1D02FUiscomposedof2commoncathodeunits. ●Lowforwardvoltage:VF(3)=0.90V(typ.) ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.) ●Smalltotalcapacitance:CT=0.9pF(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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HN1D02FU	文件：129.949 Kbytes Page：2 Pages	DIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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