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AN521	文件：1.40631 Mbytes Page：26 Pages	IRLEDSELECTIONGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
ARF521	文件：198.28 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFETs	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF521	文件：134.71 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETN-CHANNELENHANCEMENTMODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ASX521	文件：1.19472 Mbytes Page：13 Pages	250~3000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASX521	文件：907.91 Kbytes Page：12 Pages	250-3000MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
BA521	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BAS521	文件：352.44 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BAS521	文件：865.69 Kbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Fastswitchingspeed Highconductance	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BAS521	文件：194.12 Kbytes Page：11 Pages	Singlehigh-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedina SOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Highreversevoltage:VR≤300V •Repe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521	文件：768.09 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes ■Features ●Highswitchingspeed:trr≤50ns ●Highreversevoltage:VR≤300V ●Repetitivepeakforwardcurrent:IFRM≤1A ●High-speedswitching ●High-voltageswitching	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS521	文件：336.5 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE HighSpeedandHighVoltageSwitchingDiode	CDIL CDIL	CDIL
BAS521	文件：271.13 Kbytes Page：4 Pages	Highvoltageswitchingdiode DESCRIPTION TheBAS521isahigh-voltageswitchingdiodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)plasticSMDpackage. FEATURES •Highswitchingspeed:max.50ns •Highcontinuousreversevoltage:300V •Repetitivepeakforwardcurrent:625mA •Ult	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS521	文件：89.74 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed:max.50ns •HighReverseBreakdownVoltage:300V •LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature •UltraSmallPlasticSMDPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521	文件：114.07 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltageswitchingdiode Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinaSOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Highswitchingspeed:trr≤50ns ■Highreversevoltage:VR≤300V ■Repetitivepe	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS521	文件：59.77 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltageswitchingdiode DESCRIPTION TheBAS521isahigh-voltageswitchingdiodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)plasticSMDpackage. FEATURES •Highswitchingspeed:max.50ns •Highcontinuousreversevoltage:300V •Repetitivepeakforwardcurrent:625mA •Ult	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS521B	文件：199.64 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,inanultrasmallSOD523(SC-72)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Lowleakagecurrent:IR≤100nA •Highreversevoltage:VR≤200V •Lowcapacitanc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521-HF	文件：526.94 Kbytes Page：4 Pages	SMDSwitchingDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS521LP	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed:Maximumof50ns •HighReverseBreakdownVoltage:325V •LowLeakageCurrent:Maximumof50nAwhenVR=5Vor Maximumof150nAwhenVR=250VatRoomTemperature •UltraSmallPlasticSMDPackage:1.0mmx0.6mmx0.5mm •TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521LP	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521Q	文件：309.69 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features FastSwitchingSpeed:max.50ns HighReverseBreakdownVoltage:300V LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature UltraSmallPlasticSMDPackage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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产品属性

产品编号：
HMC521
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频混频器
包装：
散装
射频类型：
雷达
频率：
8.5GHz ~ 13.5GHz
辅助属性：
升频器
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC MMIC IQ MIXER DIE

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