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BAS516	文件：125.75 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS516	文件：282.2 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode FEATURES ●UltrasmallplasticSMDpackage. ●Highswitchingspeed:max.4ns. ●Continuousreversevoltage:max.75V. ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA APPLICATIONS ●High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAS516	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speedswitchingdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS516	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speedswitchingdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS516	文件：225.28 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiodes SWITCHINGDIODE250mAMPERES75VOLTS Description: TheBAS516isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD-523(SC79)SMDplasticpackage. Features: Highswitchingspeed:max.4ns Continuousreversevoltage:max.75V R	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BAS516	文件：185.05 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGDIODES PRODUCTSUMMARY SOD-523Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Smallsurfacemountingtype Highswitchingspeed	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
BAS516	文件：150.73 Kbytes Page：20 Pages	High-speedswitchingdiodes Generaldescription High-speedswitchingdiodes,encapsulatedinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed:trr≤4ns ■Lowcapacitance ■Lowleakagecurrent ■Reversevoltage:VR≤100V ■Repetitivepeakreversevoltage:VRRM≤1	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS516	文件：188.18 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode FEATURES ●UltrasmallplasticSMDpackage. ●Highswitchingspeed:max.4ns. ●Continuousreversevoltage:max.75V. ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA APPLICATIONS ●High-speedswitchinginsurfacemountedcircuits.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAS516	文件：252.01 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiode Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●HighSwitchingSpeed ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoistureSensitivityLevel1 ●Marking:61	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAS516	文件：59.67 Kbytes Page：12 Pages	High-speeddiode DESCRIPTION TheBAS516isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD523(SC79)SMDplasticpackage. FEATURES •UltrasmallplasticSMDpackage •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitivep	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS516	文件：162.57 Kbytes Page：3 Pages	High-speeddiode DESCRIPTION TheBAS516isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD523(SC79)SMDplasticpackage. FEATURES ·UltrasmallplasticSMDpackage ·Highswitchingspeed:max.4ns ·Continuousreversevoltage:max.75V ·Repetitivep	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BAS516	文件：109.72 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes SwitchingDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Highswitchingspeed	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAS516	文件：105.06 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SwitchingDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Highswitchingspeed	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS516-Q	文件：191.12 Kbytes Page：10 Pages	High-speedswitchingdiode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinaultrasmallandflatleadSOD523(SC-79)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS516S	文件：254.42 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiode FEATURES •Highspeedswitching •Highreliabilty MECHANICALDATA •Extremelysmallsurfacemountingtype.(EMD2) •Highspeed.(trr=4nstype.) •Siliconepitaxialplaner	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS516WT	文件：421.56 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES SmallPackage LowReverseCurrent FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BC516	文件：254.88 Kbytes Page：4 Pages	PNPDarlingtonTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC516	文件：78.3 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconDarlingtonTransistor PNPSiliconDarlingtonTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC516	文件：373.63 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC516	文件：401.89 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●HighCollectorCurrent	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU

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产品属性

产品编号：
HMC516-SX
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
9GHz ~ 18GHz
P1dB：
13dBm
增益：
20dB
噪声系数：
2dB
射频类型：
VSAT，DBS
电压 - 供电：
3V
电流 - 供电：
65mA
测试频率：
9GHz ~ 12GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC AMP VSAT DBS 9GHZ-18GHZ DIE

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