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BFR182	文件：133.04 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182	文件：71.53 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR182	文件：79.13 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182	文件：618.78 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182T	文件：70.17 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR182T	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR182T	文件：203.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFR182TF	文件：82.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
HMCAA182G	文件：114.12 Kbytes Page：1 Pages	HIGHDENSITYCARDEDGE.050[1.27]VESAMICROCHANNELARCHITECTURE(MCA)	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HMCAB182G	文件：114.12 Kbytes Page：1 Pages	HIGHDENSITYCARDEDGE.050[1.27]VESAMICROCHANNELARCHITECTURE(MCA)	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
HSZ182	文件：163.15 Kbytes Page：3 Pages	CeramicDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
HT182K	文件：201.31 Kbytes Page：2 Pages	CeramicCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
HT182M	文件：201.31 Kbytes Page：2 Pages	CeramicCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
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HZS182	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IMB-182	文件：1.04378 Mbytes Page：2 Pages	BGAtypeforIntelCorei7/i5/i3/mobileprocessor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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IRMCK182M	文件：517.659 Kbytes Page：33 Pages	HighPerformanceSensorlessMotorControlIC	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISCN182P	文件：258.399 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
HMC182S14
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
包装：
散装
射频类型：
通用
拓扑：
吸收
电路：
SP4T
频率范围：
0Hz ~ 2GHz
隔离：
32dB
插损：
0.8dB
测试频率：
2GHz
P1dB：
24dBm
IIP3：
41dBm
阻抗：
50 欧姆
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
IC RF SWITCH SP4T 2GHZ 14SOIC

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