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HM62V16256CI	文件：77.88 Kbytes Page：18 Pages	Wide Temperature Range Version4 M SRAM (256-kword x 16-bit) Description TheHitachiHM62V16256CISeriesis4-MbitstaticRAMorganized262,144-word×16-bit.HM62V16256CISerieshasrealizedhigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingCMOSprocesstechnology(6-transistormemorycell).Itofferslowpowerstandbypowerdissip	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HM62V16256CI	文件：100.28 Kbytes Page：20 Pages	Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (256-kword 쨈 16-bit) Description TheHitachiHM62V16256CISeriesis4-MbitstaticRAMorganized262,144-word×16-bit.HM62V16256CISerieshasrealizedhigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingCMOSprocesstechnology(6-transistormemorycell).Itofferslowpowerstandbypowerdissip	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HM62V16256B	文件：78.14 Kbytes Page：16 Pages	4MSRAM(256-kwordx16-bit) Description TheHitachiHM62V16256BSeriesis4-MbitstaticRAMorganized262,144-word×16-bit.HM62V16256BSerieshasrealizedhigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingHi-CMOSprocesstechnology.Itofferslowpowerstandbypowerdissipation;therefore,itissu	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HM62V16256C	文件：101.23 Kbytes Page：20 Pages	4MSRAM(256-kword쨈16-bit) Description TheHitachiHM62V16256CSeriesis4-MbitstaticRAMorganized262,144-word×16-bit.HM62V16256CSerieshasrealizedhigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingCMOSprocesstechnology(6-transistormemorycell).Itofferslowpowerstandbypowerdissipat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HM62V16256C	文件：76.99 Kbytes Page：18 Pages	4MSRAM(256-kwordx16-bit) Description TheHitachiHM62V16256CSeriesis4-MbitstaticRAMorganized262,144-word×16-bit.HM62V16256CSerieshasrealizedhigherdensity,higherperformanceandlowpowerconsumptionbyemployingCMOSprocesstechnology(6-transistormemorycell).Itofferslowpowerstandbypowerdissipat	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HM62V16256CBP	文件：150.62 Kbytes Page：20 Pages	4MSRAM(256-kword쨈16-bit)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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