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AS58C1001	文件：259.19 Kbytes Page：19 Pages	EEPROM GENERALDESCRIPTION TheAustinSemiconductor,Inc.AS58C1001isa1MegabitCMOSElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(EEPROM)organizedas131,072x8bits.TheAS58C1001iscapableorinsystemelectricalByteandPagereprogrammability. TheAS58C1001achieveshighspeedaccess	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
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AS58C1001	文件：351.12 Kbytes Page：21 Pages	128Kx8EEPROMEEPROMMemory	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS58C1001	文件：242.81 Kbytes Page：20 Pages	Lowpowerdissipation,activecurrent	MICROSS MICROSS	MICROSS
AS58C1001F	文件：259.19 Kbytes Page：19 Pages	EEPROM GENERALDESCRIPTION TheAustinSemiconductor,Inc.AS58C1001isa1MegabitCMOSElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(EEPROM)organizedas131,072x8bits.TheAS58C1001iscapableorinsystemelectricalByteandPagereprogrammability. TheAS58C1001achieveshighspeedaccess	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS58C1001SF	文件：259.19 Kbytes Page：19 Pages	EEPROM GENERALDESCRIPTION TheAustinSemiconductor,Inc.AS58C1001isa1MegabitCMOSElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(EEPROM)organizedas131,072x8bits.TheAS58C1001iscapableorinsystemelectricalByteandPagereprogrammability. TheAS58C1001achieveshighspeedaccess	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
HN58C1001	文件：117.36 Kbytes Page：22 Pages	1MEEPROM(128-kwordx8-bit)Ready/BusyandRESfunction Description TheHitachiHN58C1001isaelectricallyerasableandprogrammableROMorganizedas131072-word×8-bit.Ithasrealizedhighspeed,lowpowerconsumptionandhighreliabilitybyemployingadvancedMNOSmemorytechnologyandCMOSprocessandcircuitrytechnology.Italsohasa128-byt	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
HN58C1001	文件：232.25 Kbytes Page：24 Pages	1MEEPROM(128-kword횞8-bit)Ready/BusyandRESfunction Description RenesasTechnologysHN58C1001isanelectricallyerasableandprogrammableROMorganizedas131072-word×8-bit.Ithasrealizedhighspeed,lowpowerconsumptionandhighreliabilitybyemployingadvancedMNOSmemorytechnologyandCMOSprocessandcircuitrytechnology.Italsohasa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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