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HM2301BWKR	文件：411.44 Kbytes Page：6 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
2301	文件：170.48 Kbytes Page：3 Pages	1.5Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2301isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1.5WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealed	GHZTECHGHz Technology GHz Technology	GHZTECH
2301	文件：5.03147 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2301	文件：111.41 Kbytes Page：4 Pages	-2.8A竊?20VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
2301	文件：171.02 Kbytes Page：3 Pages	10VP-ChannelEnhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
2301A	文件：194.72 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
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2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2301S	文件：194.8 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
A-2301E	文件：202.06 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY C/A-2301XSINGLEDIGITDISPLAY 1.Alldimensionareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(0.01”)unlessotherwisespecified.	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司	PARALIGHT
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A-2301G-A	文件：200.64 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司	PARALIGHT
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更多HM2301BWKR供应商更新时间2024-5-21 14:34:00

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