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LTC6603IUF-TRPBF	文件：262.05 Kbytes Page：24 Pages	DualAdjustableLowpassFilter	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
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MAX6603ATB	文件：378.34 Kbytes Page：9 Pages	Dual-Channel,PlatinumRTD-to-VoltageSignalConditioner GeneralDescription TheMAX6603dual-channel,platinumRTD-to-voltagesignalconditionerexcitesandamplifiesthesignalfromtwoexternal200Ωplatinum-resistivetemperaturedevices(PtRTD)toachievehigh-voltage,level-filteredsignalsfortemperaturemeasurements.TheMAX6603providesadir	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
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MCH6603	文件：43.91 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6603	文件：264.75 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerMOSFET Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.5Vdrive •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting •Halogenfreeconplaiance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6603-TL-H	文件：491.97 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6603-TL-H	文件：264.75 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerMOSFET Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.5Vdrive •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting •Halogenfreeconplaiance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MT6603	文件：515.01 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NAS6603	文件：419.27 Kbytes Page：6 Pages	NATIONALAEROSPACESTANDARD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
NAS6603	文件：58.47 Kbytes Page：2 Pages	BOLT,HEXHEAD,CLOSETOLERANCE,ALLOYSTEELSHORTTHREAD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PJS6603	文件：521.12 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryEnhancementModeMOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6603	文件：450.82 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6603-AU	文件：481.93 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryEnhancementModeMOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PT6603	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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产品属性

产品编号：
HIP6603BCBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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