HGTG27N120BN 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
HGTG27N120BN
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
9000
产品封装：
NA
生产批号：
23/22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-5 15:00:00

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详细信息
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原厂料号：HGTG27N120BN品牌：onsemi

代理渠道.实单必成

HGTG27N120BN是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商onsemi生产封装NA/TO-247-3的HGTG27N120BN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
HGTG27N120BN
规格书：
下载下载2
企业简称：
FAIRCHILD【仙童半导体】详情
厂商全称：
Fairchild Semiconductor
中文名称：
飞兆/仙童半导体公司
内容页数：
8 页
文件大小：
178.54 kb
资料说明：
72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

产品属性

类型
描述
产品编号：
HGTG27N120BN
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，27A
开关能量：
2.2mJ（开），2.3mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/195ns
测试条件：
960V，27A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT NPT 1200V 72A TO247-3

供应商

企业：
深圳市华博特电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
代理商
手机：
13528743201
询价：
电话：
13528743201
地址：
深圳市福田区振中路与中航路交汇处新亚洲国利大厦1202

HGTG27N120BN 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

HGTG27N120BN

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