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HGTG10N120BN中文资料PDF规格书

HGTG10N120BN
厂商型号

HGTG10N120BN

参数属性

HGTG10N120BN 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

功能描述

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

文件大小

201.1 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 22:58:00

HGTG10N120BN规格书详情

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor

Features

• 35A, 1200V, TC = 25oC

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Avalanche Rated

• Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER™ Model

www.fairchildsemi.com

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards

产品属性

  • 产品编号:

    HGTG10N120BND

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    850µJ(开),800µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/165ns

  • 测试条件:

    960V,10A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

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