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HGTD7N60C3S 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
HGTD7N60C3S9A
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,7A
- 开关能量:
165µJ(开),600µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
TO-252AA
- 描述:
IGBT 600V 14A TO252AA
供应商
- 企业:
深圳市汇莱威科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱先生
- 手机:
13715291026
- 询价:
- 电话:
0755-82785377
- 地址:
深圳市福田区华富路1046号华康大夏2栋503
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