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HGTD1N120BNS中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
HGTD1N120BNS |
| 参数属性 | HGTD1N120BNS 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
| 功能描述 | Trench Field-Stop Technology IGBT |
| 文件大小 |
312.88 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-31 18:19:00 |
HGTD1N120BNS规格书详情
DESCRIPTION
· Fast switching
· Low Switching Losses
APPLICATIONS
· AC and DC motor controls
· Power
· Lighting
产品属性
- 产品编号：
HGTD1N120BNS9A
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，1A
- 开关能量：
70µJ（开），90µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/67ns
- 测试条件：
960V，1A，82 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252AA
- 描述：
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-252AA |
6000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 | ||
ON |
24+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252AA |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD |
11+ |
TO-252 |
1719 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-252 |
1759 |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO252 |
1991 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
19+ |
TO-252 |
10000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252AA |
8080 |
公司只做原装,诚信经营 |
询价 |
