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HGTD1N120BNS中文资料PDF规格书

HGTD1N120BNS
厂商型号

HGTD1N120BNS

参数属性

HGTD1N120BNS 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

功能描述

5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

文件大小

97.6 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 23:00:00

HGTD1N120BNS规格书详情

The HGTD1N120BNS and HGTP1N120BN are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.

Features

• 5.3A, 1200V, TC = 25oC

• 1200V Switching SOA Capability

• Typical EOFF . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120µJ at TJ = 150oC

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

• Avalanche Rated

• Temperature Compensating SABER™ Model

Thermal Impedance SPICE Model

www.fairchildsemi.com

• Related Literature

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

产品属性

  • 产品编号:

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,1A

  • 开关能量:

    70µJ(开),90µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/67ns

  • 测试条件:

    960V,1A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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