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HFH11N90	文件：1.17763 Mbytes Page：7 Pages	900V N-Channel MOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
11N90	文件：199.59 Kbytes Page：6 Pages	11Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC11N90isanN-channelenhancementmodePowerFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyspecializesinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhigh	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
11N90	文件：54.69 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
11N90C	文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FIR11N90ANG	文件：1.8274 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FMH11N90E	文件：533.21 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FML11N90	文件：117.87 Kbytes Page：2 Pages	11Amps900VoltageNChannelMOSFET	FCI Amphenol ICC
FMR11N90E	文件：519.88 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMV11N90E	文件：514.38 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FQA11N90	文件：679.35 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology. ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighavalanch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90	文件：816.8 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90	文件：828.46 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90	文件：362.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.96Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA11N90C	文件：362.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA11N90C	文件：817.11 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90C	文件：823.6 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQA11N90C	文件：707.76 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF11N90	文件：663.85 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF11N90	文件：421.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.96Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQAF11N90C	文件：633.39 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
HFH11N90
制造商：
SEMIHOW
制造商全称：
SEMIHOW
功能描述：
900V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	HFH11N90	MOSFET	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	HFH11N90		23+	N/A	36100	正品授权货源可靠	询价
深圳兆威电子有限公司	HFH11N90	VB	2019	TO-3P	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
深圳市新力诚科技有限公司	HFH11N90	Semihow	2020+	TO-3P	44980	公司代理品牌,原装现货超低价清仓!	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	HFH11N90	SEMIHOW	21+	TO-3P	19000	只做正品原装现货	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	HFH11N90	S	23+	TO-3P	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HFH11N90	SEMIHOW	2022+	TO-3P	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HFH11N90	SEMIHOW	21+ROHS	TO-3P	89999	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市航宇科工半导体有限公司	HFH11N90	SEMIHOW	22+	TO-3P	2730	公司原装现货	询价
深圳市吉利鑫科技发展有限公司	HFH11N90	SEMIHOW	2022+	TO-3P	79999		询价

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