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HFA9N90	文件：197.8 Kbytes Page：7 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFA9N90	文件：3.15999 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI 9A,900V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
HFA9N90Z	文件：186.45 Kbytes Page：7 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology Features ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐100AvalancheTested ❐RoHSCompliant ❐Built-inESDDiode	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFA9N90Z	文件：223.15 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel MOSFET Features ❐SuperiorAvalancheRuggedTechnology ❐RobustGateOxideTechnology ❐VeryLowIntrinsicCapacitances ❐ExcellentSwitchingCharacteristics ❐100AvalancheTested ❐RoHSCompliant ❐Built-inESDDiode	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFA9N90Z	文件：5.04938 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI 9A,900V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
9N90	文件：433.85 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheUTC9N90usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤1.2Ω@VGS=10V,ID=4.5A U	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90	文件：299.08 Kbytes Page：6 Pages	900VN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90	文件：407.13 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell9N90isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof9A,fastswitchi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
9N90	文件：255.65 Kbytes Page：6 Pages	9A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90H	文件：178.3 Kbytes Page：7 Pages	9A900VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
9N90L	文件：58.2 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed •DESCRIPTION •DrainCurrentID=9A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) •FastSwitchingSpeed •APPLICATIONS •Generalpurposepoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
9N90-Q	文件：246.23 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC9N90-QusesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
9N90S	文件：140.39 Kbytes Page：7 Pages	9A900VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
AOK9N90	文件：422.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOK9N90	文件：295.6 Kbytes Page：5 Pages	900V,9AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF9N90	文件：301.26 Kbytes Page：5 Pages	900V,9AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF9N90	文件：295.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FIR9N90AFG	文件：2.10812 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR9N90ANG	文件：2.19176 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR9N90APG	文件：2.31293 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER

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更多HFA9N90供应商更新时间2024-6-14 10:20:00

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