HFA3127RZ 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 RENESAS/瑞萨

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订购数量	价格
1+	￥60.3
1000+	￥43

厂家型号：
HFA3127RZ
产品分类：
芯片
生产厂商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
6328
产品封装：
QFN-16
生产批号：
24+25+/26+27+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-2 16:16:00

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原厂料号：HFA3127RZ品牌：RENESAS-瑞萨.

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HFA3127RZ是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商RENESAS-瑞萨./Renesas Electronics America Inc生产封装QFN-16/16-VFQFN 裸露焊盘的HFA3127RZ晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
HFA3127RZ
规格书：
下载下载2
企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Electronics America
中文名称：
瑞萨科技有限公司
内容页数：
14 页
文件大小：
699.33 kb
资料说明：
Ultra High Frequency Transistor Arrays

产品属性

类型
描述
产品编号：
HFA3127RZ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
5 NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（3x3）
描述：
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

供应商

企业：
深圳市惊羽科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
刘-先-生-----Q-微-恭-候-------有-问-秒-回-------
手机：
13147005145
询价：
电话：
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传真：
075583040836
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深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室

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HFA3127RZ

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