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HFA3127BZ96

Ultra High Frequency Transistor Arrays

Features •NPNtransistor(fT)..........................8GHz •NPNcurrentgain(hFE)........................130 •NPNearlyvoltage(VA)........................50V •PNPtransistor(fT)................

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

HFA3127BZ96

包装:托盘 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    HFA3127BZ96

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    5 NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    3.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 描述:

    RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

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更多HFA3127BZ96供应商 更新时间2024-5-21 8:57:00