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BSS306N	文件：225.01 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSS306N	文件：2.30184 Mbytes Page：20 Pages	Single-channelisolatedgatedriverICwithadjustableDESATandsoft-off Features •600V,650V,900V,and1200VIGBTs,SiCandSiMOSFETs •40Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage •±3A,±6A,and±9Atypicalsinkingandsourcingpeakoutputcurrent •SeparatesourceandsinkoutputsforhardswitchingandwithactiveMillerclamp/clampdriver •Adjustme	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BT-M306RD	文件：240.23 Kbytes Page：3 Pages	7.62mm(0.30)highthreedigitsevensegmentsdisplay.	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BT-M306RD	文件：124.87 Kbytes Page：1 Pages	THREEDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BT-N306RD	文件：124.87 Kbytes Page：1 Pages	THREEDIGITLEDDISPLAYS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BU306F	文件：115.47 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUP306D	文件：221.5 Kbytes Page：8 Pages	IGBTWithAntiparallelDiode(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfreeIncludingfastfree-wheeldiode) IGBTWithAntiparallelDiode •Lowforwardvoltagedrop •Highswitchingspeed •Lowtailcurrent •Latch-upfree •Includingfastfree-wheeldiode	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BV-C306RD	文件：132.15 Kbytes Page：1 Pages	FIVESIXDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BV-C306RD	文件：153.35 Kbytes Page：3 Pages	0.30(7.80MM)FIVEDIGITLEDDISPLAY	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
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BV-N306RD	文件：132.15 Kbytes Page：1 Pages	FIVESIXDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C306	文件：376.67 Kbytes Page：1 Pages	150WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux14TEx165mm 12TE:Uponrequest •Weight1kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CFRC306	文件：68.22 Kbytes Page：2 Pages	SMDFastRecoveryRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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详细参数

型号：
HF306
功能描述：
高频/射频继电器 RELAY HI FREQ SPDT 12VDC SMT
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
触点形式：
2 Form C(DPDT-BM)
线圈电压：
5 VDC
线圈类型：
Non-Latching
功耗：
100 mW
端接类型：
Solder Terminal
绝缘：
20 dB to 30 dB at 1 GHz
介入损耗：
0.2 dB at 1 GHz

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