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HER606G中文资料PDF规格书

HER606G
厂商型号

HER606G

参数属性

HER606G 封装/外壳为R-6,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

功能描述

6.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers

文件大小

70.19 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Taiwan Semiconductor Company, Ltd
企业简称

TSC台半

中文名称

台湾半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-28 16:40:00

HER606G规格书详情

FEATURES

- Glass passivated chip junction

- High efficiency, Low VF

- High current capability

- High reliability

- High surge current capability

- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC

- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

产品属性

  • 产品编号:

    HER606G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    65pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    R-6,轴向

  • 供应商器件封装:

    R-6

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SUNMATE森美特
24+23+
R-6
12580
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
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2023+
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24+25+/26+27+
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