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HER307GT-G分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
HER307GT-G |
参数属性 | HER307GT-G 封装/外壳为DO-201AA,DO-27,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA |
功能描述 | High Efficiency Rectifiers |
文件大小 |
84.46 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Comchip Technology |
企业简称 |
COMCHIP【典琦】 |
中文名称 | 典琦科技股份有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-13 22:30:00 |
HER307GT-G规格书详情
Voltage: 50 to 1000 V
Current: 3.0 A
RoHS Device
Features
-Glass passivated chip.
-High speed switching.
-Low forward voltage.
-High reliability.
-High surge current capability.
HER307GT-G属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。典琦科技股份有限公司制造生产的HER307GT-G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
产品属性
- 产品编号:
HER307GT-G
- 制造商:
Comchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
3A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-201AA,DO-27,轴向
- 供应商器件封装:
DO-27
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FD |
2020+ |
DO-201A |
80000 |
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询价 | ||
A/N |
1715+ |
SOP |
251156 |
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询价 | ||
CHENMKO |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
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询价 | ||
DIP |
23+ |
NA |
15659 |
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MIC |
2015+ |
DIPSMD |
19898 |
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MIC |
2023+ |
DO-201 |
80000 |
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MIC |
2339+ |
DIP |
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HB |
2022 |
DO201AD |
5880 |
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HB |
22+23+ |
DO201AD |
17904 |
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FUJI |
23+ |
TO-3P |
9516 |
询价 |