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HCTS273DMSR	文件：281.15 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCTS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCTS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCTS273MS	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS273HMSR	文件：281.15 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCTS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCTS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCTS273MS	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS273HMSR	文件：547.88 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s.20nsPulse •La	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS273K	文件：547.88 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s.20nsPulse •La	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HCTS273KMSR	文件：281.15 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCTS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCTS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCTS273MS	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS273KMSR	文件：547.88 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s.20nsPulse •La	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZS273	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IMX273LLR	文件：669.05 Kbytes Page：2 Pages	CMOSImageSensorswith3.45μmand6.9μmPixelsandGlobalShutterFunctionforIndustrialandSensingApplicationsustrial ■Globalshutterfunction ■Highframerate ■Avarietyoffunctions(externaltriggermode,multipleexposurefunction, ROImode,multipleimagesensorsynchronizationfunction,etc.) ■Compactdevicesize(14mm×14mm) ■Expandedlineup(3.45μmpixeland6.9μmpixel,SubLVDS,MIPIinte	SonySONY 索尼	Sony
IMX273LQR	文件：669.05 Kbytes Page：2 Pages	CMOSImageSensorswith3.45μmand6.9μmPixelsandGlobalShutterFunctionforIndustrialandSensingApplicationsustrial ■Globalshutterfunction ■Highframerate ■Avarietyoffunctions(externaltriggermode,multipleexposurefunction, ROImode,multipleimagesensorsynchronizationfunction,etc.) ■Compactdevicesize(14mm×14mm) ■Expandedlineup(3.45μmpixeland6.9μmpixel,SubLVDS,MIPIinte	SonySONY 索尼	Sony
IS273	文件：157.4 Kbytes Page：1 Pages	1Wepoxysealtype	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
ISCPH273P	文件：297.66 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KDV273	文件：349.9 Kbytes Page：1 Pages	USCPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV273	文件：65.03 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORUHF/VHFBAND) VCOFORUHF/VHFBAND. FEATURES ●HighCapacitanceRatio:C1V/C4V=2.0(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.39ή(Typ.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV273E	文件：63.12 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORUHF/VHFBAND) VCOFORUHF/VHFBAND. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C1V/C4V=2.0(Typ.) •LowSeriesResistance:rs=0.39Ω(Typ.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV273E	文件：49.76 Kbytes Page：1 Pages	ESCPACKAGE Markingmethod LaserMarking	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV273E	文件：210.1 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV273UL	文件：431.54 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODEVCOFORUHF/VHFBAND VCOFORUHF/VHFBAND. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C1V/C4V=2.0(Typ.) •LowSeriesResistance:rs=0.39(Typ.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KM273J	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
LD273	文件：135.26 Kbytes Page：2 Pages	TWOCHIPINFRAREDEMITTER FEATURES •VeryHighRadiantIntensity •TwoChipDevice •GreyOvalPlasticPackage •EquivalenttoT13/4Size •MatcheswithPhotodiodesSFH205orBP104orPhototransistorsBP103B	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS

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详细参数

型号：
HCTS273MS
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened Octal D Flip-Flop

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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