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HCTS20DMSR	文件：132.27 Kbytes Page：9 Pages	Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate Description TheIntersilHCTS20MSisaRadiationHardenedDual4-Input NANDGate.AlowonanyinputforcestheoutputtoaHighstate. TheHCTS20MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologyto achievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogic	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS20DMSR	文件：224.62 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate Description TheIntersilHCTS20MSisaRadiationHardenedDual4-InputNANDGate.AlowonanyinputforcestheoutputtoaHighstate. TheHCTS20MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS20DMSR	文件：378.04 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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HCTS20DMSR

文件：132.27 Kbytes

Page：9 Pages

Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate

Description TheIntersilHCTS20MSisaRadiationHardenedDual4-Input NANDGate.AlowonanyinputforcestheoutputtoaHighstate. TheHCTS20MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologyto achievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogic

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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HCTS20DMSR

文件：224.62 Kbytes

Page：8 Pages

Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate

Description TheIntersilHCTS20MSisaRadiationHardenedDual4-InputNANDGate.AlowonanyinputforcestheoutputtoaHighstate. TheHCTS20MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFa

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

HCTS20DMSR

文件：378.04 Kbytes

Page：8 Pages

Radiation Hardened Dual 4-Input NAND Gate

Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
HCTS20DMSR
制造商：
Intersil Corporation
功能描述：
RAD HARD DUAL 4-INPUT NAND GATE,DIP,200KRAD,TTL,CLASS V - Rail/Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市赛尔通科技有限公司	HCTS20DMSR	ISL	23+		65480		询价
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更多HCTS20DMSR供应商更新时间2024-4-30 10:48:00

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