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MMBZ5230A	文件：398.96 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5230A	文件：304.14 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
MMBZ5230A	文件：92.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.3to51VoltsPOWER410mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •410mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Pbfreeproduct:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancediectiverequest MECHANICALDATA •Case:SOT-23,Mold	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5230AW	文件：101.49 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.3to51VoltsPOWER200mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Pbfreeproduct:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancediectiverequest MECHANICALDATA •Case:SOT-323,Mol	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5230AW	文件：127.29 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5230B	文件：106.88 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5230B	文件：295.79 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiode	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBZ5230B	文件：249.34 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODEVOLTAGERANGE2.7to39VoltsPOWERRATING350mWatts	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
MMBZ5230B	文件：450.53 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE CONSTANTVOLTAGEREGULATIONAPPLICATION. REFERENCEVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •SmallPackage:SOT-23.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MMBZ5230B	文件：523.669 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBZ5230B	文件：267.81 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiode ZENERDIODE FEATURES： PlanarDieConstruction 350mWPowerDissipationonFR-4PCB Generalpurpose,MediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssembly	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MMBZ5230B	文件：416.49 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES •PlanarDieconstruction •500mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4V-39V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
MMBZ5230B	文件：372.69 Kbytes Page：2 Pages	300MWSurfaceMountZenerDiodes Features ●PlanarDieConstruction ●300mWPowerDissipationonFR-4PCB ●GeneralPurpose,MediumCurrent ●IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcess	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MMBZ5230B	文件：137.28 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiode FEATURES： •PlanarDieConstruction •350mWPowerDissipationonFR-4PCB •Generalpurpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssembly	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBZ5230B	文件：109.72 Kbytes Page：5 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •350mWPowerDissipationonFR-4PCB •GeneralPurpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBZ5230B	文件：352.97 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBZ5230B	文件：555.12 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiode Features •a225mWRatingonFR–4orFR–5Board. •aSiliconepitaxialplanarchipstrucuction. •aWidezenerreversevoltagerange2.4Vto91V. •aSmallpackagesizeforhighdensityapplications. •aIdeallysuitedforautomatedassemblyprocesses. •aLead-freepartsmeetenvironmentalstand	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
MMBZ5230B	文件：84.76 Kbytes Page：5 Pages	300mWSOT-23SeriesSurfaceMountZenerVoltageRegulatorDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBZ5230B	文件：219.53 Kbytes Page：5 Pages	350mWSurfaceMountZenerDiode FEATURES ●PlanarDieConstruction. ●350mwPowerDissipation. ●Generalpurpose,mediumcurrent. ●IdeallySuitedForAutomatedAssemblyPrcesses. APPLICATIONS ●350MwSurfacemountzenerdiode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBZ5230B	文件：76.39 Kbytes Page：4 Pages	350mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features ●PlanarDieConstruction ●350mWPowerDissipation ●2.4–51VNominalZenerVoltage ●5StandardVzTolerance ●DesignedforSurfaceMountApplication ●PlasticMaterial–ULRecognitionFlammabilityClassification94V-O	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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详细参数

型号：
HCPL-5230
功能描述：
高速光耦合器 2Ch 8mA 200mW Hermetically sealed
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	HCPL-5230	Broadcom Limited	24+	8-CDIP(0.300,7.62mm)	25000	in stock隔离器IC-原装正品	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	HCPL-5230	AVAGOTECHNOLOGIES	17+	DIP-8	6800	100%原装进口现货,欢迎来电咨询	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	HCPL-5230	BROADCOM/AVAGO	21+	DIP	258	全新原装鄙视假货15118075546	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	HCPL-5230	AVAGO		最新	1000	原装正品现货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	HCPL-5230	AVAGO	2022+	DIP	5000	原厂授权代理价格绝对优势	询价
深圳权泰科技有限公司	HCPL-5230	AGILENT	21+	CDIP	8080	原装现货实单必成只做原装！	询价
深圳市瑞祥辉半导体有限公司	HCPL-5230	AVAGO/安华高	23+	CDIP-8	1280	公司现货原装实单必成	询价
深圳市勤思达科技有限公司	HCPL-5230	AVA	23+		540	原装现货,欢迎咨询	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	HCPL-5230	AGILENT	22+	SOP-8	3200	绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	HCPL-5230	AVAGO	23+	DIP	5000	原装正品,假一罚十	询价

更多HCPL-5230供应商更新时间2024-6-12 17:07:00

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