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HCD70R600S	文件：265.62 Kbytes Page：8 Pages	700V N-Channel Super Junction MOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCD70R600S	文件：265.62 Kbytes Page：8 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
70R600P	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	700V0.6(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
HCP70R600S	文件：177.77 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCS70R600S	文件：168.81 Kbytes Page：7 Pages	RobustGateOxideTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCS70R600S	文件：303.11 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·PowerFactorCorrection(PFC) ·TVPower&LEDlightingPower ·ACtoDCConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HCU70R600S	文件：265.62 Kbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelSuperJunctionMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IIPD70R600CE	文件：336.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •Veryhighcommutationruggedness •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPAW70R600CE	文件：1.00042 Mbytes Page：14 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD70R600CE	文件：336.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •Veryhighcommutationruggedness •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD70R600CE	文件：988.45 Kbytes Page：14 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPS70R600CE	文件：1.21722 Mbytes Page：14 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPSA70R600CE	文件：1.16077 Mbytes Page：14 Pages	700VCoolMOS짧CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MMD70R600P	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	700V0.6(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMD70R600P	文件：271.36 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMD70R600PRH	文件：352.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMD70R600PRH	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	700V0.6(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF70R600P	文件：298.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF70R600P	文件：1.2304 Mbytes Page：10 Pages	700V0.6(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF70R600PTH	文件：1.2304 Mbytes Page：10 Pages	700V0.6(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市拓亿芯电子有限公司	HCD72-1.2V/2.8V	N/A	23+	SOT-23-6	15000	全新原装现货,价格优势	询价
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更多HCD70R600S供应商更新时间2024-6-3 18:39:00

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