| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
|
BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
|||
|
深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
|
RENESASSOP8PB |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Renesas(瑞萨)标准封装 |
7193 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
RENESASSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
RENESAS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
|
RENESASSOP-8 |
90000 |
24+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
RENESASSOP-8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳市英科美电子有限公司9年
留言
|
HITSOP8 |
6046 |
2021+ |
百分百原装正品 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
|
RENESAS/瑞萨NA/ |
849 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOP-8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
|
RENESASSOP8 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
|
RENESASSOP-8 |
2058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOP-8 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
|
Renesas(瑞萨)A/N |
20000 |
21+ |
专注品牌,只做原装,询价必回!!! |
|||
|
深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
|
RENESASSOP8 |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
RENESASSOP |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOP |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司15年
留言
|
RENESASSOP-8 |
12915 |
05+ |
||||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
HITSOP8 |
2650 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
RENESAS/瑞萨SOP8 |
50000 |
22+ |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
HAT2195R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HAT2195R图片
HAT2195R资讯
HAT2195R-EL-E
分立半导体产品FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，4.5V驱动漏源极电压（Vdss）：30V电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A（Ta）不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.8毫欧@9A，10V不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：23nC@4.5V不同Vds时的输入电容（Ciss）
HAT2195R
HAT2195R关键参数：FET-单FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压（Vdss）：30V电流-连续漏极（Id）（25°C时）：18A（Ta）不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.8毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：23nC
HAT2195R中文资料Alldatasheet PDF
更多HAT2195R功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT2195R-EL-E功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
