| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
RENESAS/瑞萨LFPAK |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
RENESASLFPAK |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
HITACHI/日立LFPAK |
6000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
90250 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
|
RENESASLFPAK-4 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
|
上海磐岳电子有限公司6年
留言
|
RenesasLFPAK |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
RENESASLFPAK-4 |
20 |
0518+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
|
RENESASLFPAK-4 |
20 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
RENESAS |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
|
RENESASLFPAK-4 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
N/A |
80000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
|
RENESASLFPAK-4 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
|||
|
深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
|
RENESASLFPAK-4 |
20 |
0518+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
80000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
RENESASSOT-669 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
|
RENESASLFPAK |
56787 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Renesas(瑞萨)标准封装 |
9548 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
RENESASNA |
2323 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
38160 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
HAT2160H采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HAT2160H图片
HAT2160H价格
HAT2160H价格：￥6.5000品牌：RENESAS
生产厂家品牌为RENESAS的HAT2160H多少钱，想知道HAT2160H价格是多少？参考价：￥6.5000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，HAT2160H批发价格及采购报价，HAT2160H销售排行榜及行情走势，HAT2160H报价。
HAT2160H-EL中文资料Alldatasheet PDF
更多HAT2160H功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT2160H-EL-E功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
