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R6009ENJ	文件：299.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6009ENJ	文件：2.50059 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V9APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009ENX	文件：2.50004 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V9APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009ENX	文件：1.1061 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6009ENX	文件：296.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6009JNJ	文件：2.21884 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V9APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009JNX	文件：2.2062 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V9APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009KNJ	文件：299.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6009KNJ	文件：2.19173 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V9APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009KNX	文件：2.46482 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V9APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6009KNX	文件：296.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RJK6009DPP	文件：75.41 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SBT-BGA-6009	文件：371.96 Kbytes Page：4 Pages	Excellentsignalintegrityathighfrequencies	IRONWOODIronwood Electronics. Lronwood电子公司	IRONWOOD
SG-BGA-6009	文件：112.9 Kbytes Page：4 Pages	Ballguidepreventsovercompressionofelastomer	IRONWOODIronwood Electronics. Lronwood电子公司	IRONWOOD
SM6009	文件：223.14 Kbytes Page：7 Pages	Builtinactivedischargecircuitforfastturn-off	SSOUSASolid State Optronic Solid State Optronic	SSOUSA
SM6009NSF	文件：162.91 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
SM6009NSFC-TUG	文件：162.91 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
TA6009FM	文件：171.17 Kbytes Page：12 Pages	BipolarLinearIntegratedCircuitSiliconMonolithicShockSensorIC(1chversion)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TA6009FN	文件：233.01 Kbytes Page：11 Pages	ShockSensorIC(1chversion)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TA6009FN	文件：247.19 Kbytes Page：7 Pages	SHOCKSENSORIC(1chVERSION) ShockSensorIC(1chversion) TA6009FN/FNGdetectsanexistenceofexternalshockthroughtheshocksensorandoutput. Features •TA6009FN/FNGoperatesfrom2.7to5.5VDCsinglepowersupplyvoltage. •Signalfromtheshocksensorisamplifiedaccordingtosettinggain,andisdetectedthro	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
HA6009
制造商：
HBH
制造商全称：
HBH
功能描述：
9.0 - 10.0 GHz Driver Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海金庆电子技术有限公司	HA60125	Crydom	新		25	全新原装货期两周	询价
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更多HA6009供应商更新时间2024-6-7 18:01:00

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