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QM6008D	文件：674.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM6008D	文件：1.00435 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6008G	文件：502.56 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6008G	文件：229.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
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QM6008K	文件：502.69 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6008U	文件：1.33358 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
QM6008U	文件：960.33 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6008U	文件：335.07 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
R6008ANX	文件：265.05 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6008ANX	文件：1.00965 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V8APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6008FNJ	文件：1.32067 Mbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6008FNJTL	文件：1.03795 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6008FNX	文件：297.12 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJQ6008BDPM	文件：188.26 Kbytes Page：12 Pages	600V-6A-IGBTPowerSwitching Features Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(atIC=20A,VGE=15V,Tc=25C) Qualitygrade:Standard Highspeedswitching Applications:PFC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJQ6008DPM	文件：115.64 Kbytes Page：9 Pages	600V-10A-IGBTandDiodeHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=2.65Vtyp.(IC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
S6008D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant,Electrically-isolatedpackage	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
S6008D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
S6008D	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse

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更多HA6008P供应商更新时间2024-5-16 14:50:00

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