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KF12N60P/F	文件：401.95 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=600V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KSMF12N60	文件：712.09 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF12N60NZ	文件：2.07975 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelUniFETllMOSFET600V,12A,650m	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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SCT12N60FD	文件：367.59 Kbytes Page：6 Pages	Triac ThisdeviceissuitableforlowpowerACswitchingapplication,phasecontrolapplicationsuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandstaticswitchingrelay. Features RepetitivePeakOff-StateVoltage:VDRM=600V R.M.SOn-StateCurrent:IT(RMS)=12A Gat	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SCT12N60P	文件：397.58 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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SIF12N60C	文件：300.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司	SISEMIC
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H12N60E供应商更新时间2024-6-6 16:08:00

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