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H04N60	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMC 华昕	HSMC
H04N60E	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMC 华昕	HSMC
H04N60F	文件：60.85 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl	HSMC 华昕	HSMC
H04Z-0100J2T-00C36-X	文件：553.76 Kbytes Page：1 Pages	Aluminum Nitride Feature: ♦AlNmaterial ♦10Wattpowerhandling ♦DC-3GHz GeneralDescription: TheH04Z-0100J2T-00C36-Xisaleaded 1dBattenuatorwithapowerratingof10Wattsmax whilemaintainingabaseplatetemperatureof100°C. ItoffersafrequencyrangefromDC-3GHz.	BARRY Vishay Barry	BARRY
H04Z-0200JT-00C36-X	文件：559.7 Kbytes Page：1 Pages	Aluminum Nitride Feature: ♦AlNmaterial ♦10Wattpowerhandling ♦DC-3GHz GeneralDescription: TheH04Z-0200J2T-00C36-Xisaleaded 2dBattenuatorwithapowerratingof10Wattsmax whilemaintainingabaseplatetemperatureof100°C. ItoffersafrequencyrangefromDC-3GHz.	BARRY Vishay Barry	BARRY
H04Z-0300J2T-00C36-X	文件：559.7 Kbytes Page：1 Pages	Aluminum Nitride Feature: ♦AlNmaterial ♦10Wattpowerhandling ♦DC-3GHz GeneralDescription: TheH04Z-0300J2T-00C36-Xisaleaded 3dBattenuatorwithapowerratingof10Wattsmax whilemaintainingabaseplatetemperatureof100°C. ItoffersafrequencyrangefromDC-3GHz.	BARRY Vishay Barry	BARRY
H04Z-0500J2T-00C36-X	文件：193.19 Kbytes Page：1 Pages	Aluminum Nitride Feature: ♦AlNmaterial ♦10Wattpowerhandling ♦DC-3GHz GeneralDescription: TheH04Z-0500J2T-00C36-Xisaleaded 5dBattenuatorwithaninputpowerof10Wattsmax whilemaintainingabaseplatetemperatureof100°C. ItoffersafrequencyrangefromDC-3GHz.	BARRY Vishay Barry	BARRY
H04Z-1000J2T-00C36-X	文件：193.05 Kbytes Page：1 Pages	Aluminum Nitride Feature: ♦AlNmaterial ♦10Wattpowerhandling ♦DC-3GHz GeneralDescription: TheH04Z-1000J2T-00C36-Xisaleaded 10dBattenuatorwithaninputpowerof10Wattsmax whilemaintainingabaseplatetemperatureof100°C. ItoffersafrequencyrangefromDC-3GHz.	BARRY Vishay Barry	BARRY
H04Z-2000J2T-00C36-X	文件：193.17 Kbytes Page：1 Pages	Aluminum Nitride Feature: ♦AlNmaterial ♦10Wattpowerhandling ♦DC-3GHz GeneralDescription: TheH04Z-2000J2T-00C36-Xisaleaded attenuatorwithapowerratingof10Wattsmaxwhile maintainingabaseplatetemperatureof100°C.It offersafrequencyrangefromDC-3GHz.	BARRY Vishay Barry	BARRY

详细参数

型号：
H04
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H04供应商更新时间2024-4-29 11:36:00

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