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深圳市坤融电子科技有限公司

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INTERSILSOP8

20

2022+

原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市永贝尔科技有限公司

7年 留言
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Intersil(英特矽尔)N/A

4550

2023+

全新原装正品

深圳市斌能达电子科技有限公司

7年 留言
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INTERSILSOP8

2000

23+

全新原装深圳仓库现货有单必成

深圳市拓亿芯电子有限公司

11年 留言
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INTERSILSOP-8

15000

23+

原装现货假一赔十

深圳市创盛芯科技有限公司

3年 留言
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INTERSILSOP-8

22500

21+

全新原装现货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

4年 留言
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RENESAS/瑞萨SOP-8

25000

23+

全新、原装

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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INTERSILSOP-8

98900

22+

只做原装,支持实单,来电咨询。

深圳市瑞祥辉半导体有限公司

8年 留言
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IntersilSOIC-8

6890

长期供货进口原装假一赔万热卖现货

瀚佳科技(深圳)有限公司

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Intersil8-SOIC

65200

21+

一级代理/放心采购

深圳市大源实业科技有限公司

4年 留言
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RENESASN/A

51800

22+

优势价格原装现货提供BOM一站式配单服务

深圳廊盛科技有限公司

6年 留言
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INTERSILSOP8

50000

22+

只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询

深圳市诚中源科技有限公司

5年 留言
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INTERSILSOP8

9866

21+

深圳市维基鸿电子有限公司

13年 留言
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INTERSILSOP8

10000

23+

全新原装现货库存

深圳市德力诚信科技有限公司

10年 留言
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RENESASNA

25

23+

1+
:¥1

现货!就到京北通宇商城

深圳市保之丰科技有限公司

2年 留言
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RENESAS/瑞萨IC

65

21+

深圳鹏芯半导体科技(集团)有限公司

3年 留言
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INTERSILSOP8

7800

20+

中国航天科工集团优秀合格供方行业领导者

深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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Intersil8-SOIC

6672

23+

深圳市威尔健半导体有限公司

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INTERSILSOP8

3239

23+

深圳市勤思达科技有限公司

11年 留言
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INTERSILSOP8

5500

23+

原装无铅,优势热卖

深圳市宇创芯科技有限公司

10年 留言
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INTERSILSOIC-8

9600

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HIP2101IBZT价格

HIP2101IBZT价格:¥11.2398品牌:Intersil

生产厂家品牌为Intersil的HIP2101IBZT多少钱,想知道HIP2101IBZT价格是多少?参考价:¥11.2398。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,HIP2101IBZT批发价格及采购报价,HIP2101IBZT销售排行榜及行情走势,HIP2101IBZT报价。

HIP2101IBZT资讯

HIP2101IBZT

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HIP2101IBZT功能描述:功率驱动器IC VER 100V HALFBRDG DR VR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

HIP2101IBZT7A功能描述:功率驱动器IC LEAD-FREE VERSION, 100V HALFBRIDGE DRIVER, 250pc T&R RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    HIP2101IBZT

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    9V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    10ns,10ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC