| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
85 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILTO-220 |
8300 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
150 |
23+ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONTO-220 |
448 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
6893 |
2023+ |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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FAIRCTO-220 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
6850 |
23+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1705 |
21+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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FSCTO-220 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ONTO-220 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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FSC/仙童TO-220 |
16510 |
2232+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
12259 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILTO-220 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
HGTP3N60A4采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HGTP3N60A4图片
HGTP3N60A4中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP3N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT NPT Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP3N60A4_NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP3N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP3N60A4D9A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
产品属性
- 产品编号：
HGTP3N60A4
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，3A
- 开关能量：
37µJ（开），25µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
6ns/73ns
- 测试条件：
390V，3A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
