| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILTO-220 |
8300 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
85 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
29600 |
23+ |
一级分销商! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
6940 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市华宇金电子有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)TO-220AB-3 |
690000 |
24+ |
支持实单/只做原装 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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FAIRCHITO-220 |
8276 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
30794 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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HARRISTO-220 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
2550 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
7635 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1705 |
21+ |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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Intersil/FAIRCHILDTO-220AB |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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INFTO-220 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FSCTO-220 |
69 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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onsemiNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
6850 |
23+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
HGTP3N60采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HGTP3N60图片
HGTP3N60A4中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP3N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT NPT Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP3N60A4_NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
HGTP3N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP3N60A4D9A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP3N60B3制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
HGTP3N60B3D制造商:Harris Corporation
HGTP3N60B3R4724制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
HGTP3N60C3制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
HGTP3N60C3D功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP3N60C3D_07制造商:HARRIS 制造商全称:HARRIS 功能描述:6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
