选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
600 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
|||
|
深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
|
20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
|||||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
onsemi/安森美TO-220 |
4500 |
新批次 |
||||
|
深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
|
HARRIS/哈里斯TO220 |
246 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
|||
|
深圳市纳立科技有限公司3年
留言
|
1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
||||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
FAIRCHITO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
onsemi(安森美)TO-220 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
FAIRCHILD原装 |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
|
ON/安森美SMD |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO220 |
1709 |
21+ |
||||
|
深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
|
intersil |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
|||
|
深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美 |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
|||
|
深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
|
ONTO-220 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
HAR |
65480 |
23+ |
||||
|
利广微科技(深圳)有限公司2年
留言
|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR标准封装 |
58998 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
||||
|
深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
|
FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
|
HARTO-220 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
HARTO-220 |
3200 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
|||
|
深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
600 |
20+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
HGTP20N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HGTP20N60图片
HGTP20N60A4资讯
HGTP20N60A4
产品培训模块:HighVoltageSwitchesforPowerProcessing 标准包装:400 类别:分离式半导体产品 家庭:IGBT-单路 系列:- IGBT类型:- 电压-集电极发射极击穿(最大):600V Vge,Ic时的最大Vce(开):2.7
HGTP20N60A4中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP20N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP20N60B3功能描述:IGBT 晶体管 TO-220 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP20N60B3R4035制造商:Harris Corporation
HGTP20N60C3制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTP20N60C3R制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation