选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12800 |
2023+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市和悦电子贸易有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
20 |
12+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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HARRIS/哈里斯NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FSC/仙童TO-220 |
71 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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FAIRCHILD原装 |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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HARISTO-220 |
2500 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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ON实际数量电话咨询TO-220 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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HARISTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Fairchild/ONTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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FAIRCHILD |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
3271 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
9526 |
23+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILTO-220 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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仙童TO-220 |
5000 |
06+ |
原装 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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HGTP12N60C3540 |
540 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-TO-220 |
28300 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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FSC/仙童TO-220 |
10065 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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HARRISTO-220 |
2500 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
HGTP12N60C3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HGTP12N60C3图片
HGTP12N60C3D价格
HGTP12N60C3D价格:¥11.3744品牌:FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的HGTP12N60C3D多少钱,想知道HGTP12N60C3D价格是多少?参考价:¥11.3744。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,HGTP12N60C3D批发价格及采购报价,HGTP12N60C3D销售排行榜及行情走势,HGTP12N60C3D报价。
HGTP12N60C3中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP12N60C3功能描述:IGBT 晶体管 24a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP12N60C3D功能描述:IGBT 晶体管 HGTP12N60C3D RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP12N60C3R制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
产品属性
- 产品编号:
HGTP12N60C3
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,12A
- 开关能量:
380µJ(开),900µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 24A 104W TO220AB