| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市和悦电子贸易有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
20 |
12+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1100 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12800 |
2023+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220-3 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FAITO-220 |
9150 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-220 |
4500 |
新批次 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
1471 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Fairchild/ONTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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FAI |
65480 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90650 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90650 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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FSNA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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POWER原厂原封 |
57550 |
2022+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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FSC/仙童TO-220 |
10065 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FSCTO220 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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FAIRCHILD原装 |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SMD |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FAIRCHITO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
HGTP12N60采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HGTP12N60图片
HGTP12N60C3D价格
HGTP12N60C3D价格：￥11.3744品牌：FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的HGTP12N60C3D多少钱，想知道HGTP12N60C3D价格是多少？参考价：￥11.3744。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，HGTP12N60C3D批发价格及采购报价，HGTP12N60C3D销售排行榜及行情走势，HGTP12N60C3D报价。
HGTP12N60C3D中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP12N6001制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
HGTP12N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP12N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP12N60B3制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP12N60B3D制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTP12N60C3功能描述:IGBT 晶体管 24a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP12N60C3D功能描述:IGBT 晶体管 HGTP12N60C3D RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP12N60C3R制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTP12N60D1制造商:Harris Corporation
