| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
28 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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ONSEMI18 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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ADI/亚德诺SOP16 |
11785 |
2206+ |
专营原装正品,现货特价中!QQ:1978835518/192523 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ONTO-247 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-247 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILTO-247 |
5125 |
22+ |
全新原装现货,欢迎询购!! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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ONTO-247 |
8000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSENINA |
1350 |
2019 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-247 |
10951 |
2021+ |
全新原装现货库存,超低价清仓! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美TO-247 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247-3 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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160 |
23+ |
原装现货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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ON/安森美TO-247 |
21000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILDTO-247 |
4500 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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FSCTO-247 |
6800 |
23+ |
一级分销商 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-247 |
1224 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-247 |
6000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 |
HGTG30N60A4采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HGTG30N60A4图片
HGTG30N60A4D价格
HGTG30N60A4D价格：￥21.1335品牌：FAIRCHILD
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HGTG30N60A4D 600V，SMPS系列N沟道IGBT
HGTG30N60A4D600V，SMPS系列N沟道IGBT 标准包装150类别分立半导体产品家庭IGBT-单路系列-包装管件IGBT类型-电压-集射极击穿（最大值）600V不同Vge、Ic时的Vce(on)2.6V@15V，30A电流-集电
HGTG30N60A4中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTG30N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTG30N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
HGTG30N60A4
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，30A
- 开关能量：
280µJ（开），240µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/150ns
- 测试条件：
390V，30A，3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 75A TO247-3
