| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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RenesasSOT-669 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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NECTO-252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-669 |
399 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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RENESASTO-252 |
9750 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RENESASTO-252 |
35400 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
9048 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36200 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝SOP-8 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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PHILIPS?SOT-23? |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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NECTO-252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NECTO-252 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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NECTO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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PHILIPS?SOT-23? |
16800 |
2023+ |
芯为科技只有原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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PHILIPSSOT-23 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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RENESASLEPAK |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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RenesasLFPAK |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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NECTO-252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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NECTO-252 |
37650 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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PHILIPSSOT-23 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
27048 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
HAT1072H采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HAT1072H图片
HAT1072H-EL-E中文资料Alldatasheet PDF
更多HAT1072H功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT1072H_05制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT1072H-EL制造商:Renesas Electronics Corporation
HAT1072H-EL-E功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
