选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-669 |
399 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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RENESASTO-252 |
9750 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RENESASTO-252 |
35400 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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RenesasSOT-669 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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RENESASTO252 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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ADDIP |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ADDIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ADDIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市嘉势达电子有限公司3年
留言
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RENESASTO252 |
54500 |
14+ |
百分百原装正品现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨SOP |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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ADDIP |
16800 |
2023+ |
芯为科技只有原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
27048 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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RENESASSOT669 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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RENESASLFPKA |
42528 |
22+ |
进口原装!现货库存 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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RENESASRENESAS |
8000 |
10+ |
现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT669 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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RENESASTO-252 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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RENESAS/瑞萨LFPAK |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-669 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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RENESASSOT669 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
HAT1072采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HAT1072图片
HAT1072H-EL中文资料Alldatasheet PDF
更多HAT1072H功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT1072H_05制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT1072H-EL制造商:Renesas Electronics Corporation
HAT1072H-EL-E功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件