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GT60M303A	文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages	Discrete IGBTs	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT60M303	文件：426.72 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORSILICONNCHANNELIGBT HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS ●FourthgenerationIGBT ●FRDincludedbetweenemitterandcollector ●Enhancementmodetype ●Highspeed IGBT:tf=0.25μs(TYP.) FRD:trr=0.7μs(TYP.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.1V(TYP.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT60M303	文件：420.52 Kbytes Page：6 Pages	HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT60M303	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT60M303-Q	文件：420.52 Kbytes Page：6 Pages	HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

更多GT60M303A供应商更新时间2024-5-31 15:44:00