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GT60M302

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

GT60M302

Discrete IGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
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TOSHIBA
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更多GT60M302供应商 更新时间2024-4-27 18:32:00