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GT60M301中文资料PDF规格书

GT60M301
厂商型号

GT60M301

功能描述

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)

文件大小

292.45 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-4-28 20:00:00

GT60M301规格书详情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

产品属性

  • 型号:

    GT60M301

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

  • 制造商:

    Toshiba

  • 功能描述:

    900V 60A Cut Tape

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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