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GT50JR22中文资料PDF规格书

GT50JR22
厂商型号

GT50JR22

参数属性

GT50JR22 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

功能描述

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

文件大小

207.58 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 22:59:00

产品属性

  • 产品编号:

    GT50JR22(STA1,E,S)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS

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