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GT25G102SM

N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

STROBEFLASHAPPLICATIONS ●HighInputImpedance ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=8V(Max.)(IC=150A) ●Enhancement−Mode ●12VGateDrive

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT25G102

NCHANNELIGBT(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

GT25G102

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

详细参数

  • 型号:

    GT25G102SM

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    N CHANNEL IGBT(STROBE FLASH APPLICATIONS)

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23+
TO-263
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更多GT25G102SM供应商 更新时间2024-6-4 18:02:00